采用陶瓷金屬封裝技術，利用氮化鋁陶瓷具有耐高溫、絕緣性能好、介電常數高又能導熱特點。 首先是解決陶瓷金屬化問題，采用最先進高真空鍍膜技術，把氮化鋁金屬化；再使用光刻和刻蝕技術，在陶瓷上印刷電路；同時利用金基焊料的溫度梯度（280℃、350 ℃、450 ℃）解決復雜結構和多芯片的陶瓷金屬封裝難題。 SS®陶封技術解決了第三代半導體五大問題：1、熱匹配問題；2、絕緣性問題；3、氣密性問題；4、封裝技術；5、規?；a技術。
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